5策略三星芯片，谋求反超

（原标题：三星芯片5策略，谋求反超）

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来源：内容来自businesskorea & chosun。

据报道，三星电子最近结束了全球战略会议，其设备解决方案（DS）机构部门讨论了增强高带宽存储器（HBM）和代工等领域竞争力的措施。

三星电子全球战略会议每年6月和12月举行。各地区法人代表广泛参与，按机构部门和地区分享议题，并讨论营销战略。

22日，据业内人士透露，DS机构部门在18日举行的战略会议上，将HBM作为主要议题，讨论了向NVIDIA供应第五代HBM（HBM3E）12层的战略和第六代HBM（HBM4）的量产计划，以及DRAM设计的改进等。

就三星电子的内存部门而言，今年第一季度，其DRAM市场第一的位置时隔33年首次被SK海力士夺走，竞争力下降。美国美光公司和中国的长鑫存储（CXMT）也在迅速逼近三星电子，危机感日益加剧。

据悉，三星电子正集中讨论以HBM为中心的复苏措施。三星电子DRAM竞争力和市场份额的下滑，普遍认为是HBM业务的失误。

13日，三星电子正式向美国科技巨头AMD交付升级版HBM3E 12层产品，这证明了其技术实力，并引发了其试图打入尚未进入的NVIDIA供应链的讨论。目前，三星电子向AMD供应的HBM3E产品正在接受NVIDIA的质量测试。

据悉，他们还审查了下半年采用10纳米（纳米；1米的十亿分之一）第六代（1c）DRAM量产HBM4的计划。随着近期通用1c DRAM良率的提高，用于HBM的1c DRAM的良率和性能据称也在加速提升。

据悉，晶圆代工部门每季度亏损高达数万亿韩元，该部门也分享了订单战略。在台湾地区，与台积电的差距正在扩大，但与后来者的差距正在缩小5策略，因此，为了保住市场份额，争取客户至关重要。

据市调机构TrendForce数据显示，今年第一季度三星电子晶圆代工市场份额为7.7%，较上一季度下降0.4个百分点，与行业龙头台积电（67.6%）的差距有所扩大，而与中国中芯国际（6%）的差距有所缩小。

据报道，系统LSI方面，双方正在就三星电子下个月即将推出的折叠式智能手机“Galaxy Z7系列”中将采用的应用处理器（AP）“Exynos 2500”等下一代产品进行讨论。

三星积极投资下一代DRAM生产

由于人工智能半导体高带宽存储器 (HBM) 市场面临挑战，三星电子在第一季度被 SK 海力士抢占了 DRAM 市场主导地位。目前，三星正积极寻求重夺这一市场领导地位。在下一代DRAM良率大幅提升后，三星正迅速进入量产阶段，展现出其重夺“内存霸主”地位的决心。由于DRAM是 HBM 的关键组成部分，这一进展也被视为 HBM4 开发的积极信号，三星计划在年内实现量产。

据业界消息人士7月19日透露，三星电子上个月在10纳米级第六代DRAM晶圆的性能测试中，实现了50-70%的良品率，与去年同类产品不到30%的良品率相比，取得了实质性的进步。

改进的关键在于重新设计。三星的研究团队实施了各种新的结构改进，以提高芯片效率和生产率。尽管最初的计划是去年年底开始量产10纳米级第六代DRAM，但三星还是冒险重新设计了芯片，尽管这可能会延迟一年以上。这一决定最终被证明是正确的，并带来了重大的技术进步。

三星不失时机地投资大规模生产线，采取提前准备生产线的策略，以便在最终测试完成后立即投产。三星雄厚的现金储备和工艺专长促成了这一快速决策。一位业内人士评论道：“与SK海力士和美光科技相比，三星电子拥有更丰富的有形和无形资源。他们能否复制过去的战略，利用‘规模经济’来提升成本竞争力，并通过规模效应向竞争对手施加压力，还有待观察。”

此次 DRAM 的量产预计将显著提升三星计划于年内量产的第 6 代 HBM（HBM4）的竞争力。

此次投资的平泽4号工厂DRAM生产线生产的产品将供应移动（LPDDR）和服务器应用。用于生产HBM4的10纳米级第六代DRAM生产线位于平泽3号工厂。一位业内人士表示：“DRAM的核心——存储单元的核心结构，在移动/服务器DRAM和HBM之间非常相似，因此这将对HBM用DRAM的完成产生积极影响。” 基于此次DRAM的成功量产，三星可能会在平泽3号工厂进一步加大对HBM4工艺的投资。

三星在实现 10nm 级第六代 DRAM 良率目标后正迅速进入量产阶段，而 SK 海力士则采取了更为谨慎的做法。

SK海力士于去年8月完成了10nm级第六代DRAM的开发。据报道，SK海力士这款DRAM的测试良率平均超过80%，最高可达90%。然而，与三星不同，SK海力士预计不会立即开始量产。最初计划从今年下半年开始为京畿道利川的M14工厂配备必要的设备，但这一计划已被推迟到明年年初，而且即使是这个时间表，预计也会比较保守。这一决定被解读为一项战略举措，旨在专注于生产10nm级第五代DRAM，这种DRAM用于目前占主导地位的第五代高带宽存储器（HBM3E）。由于今年的生产计划已经确定，SK海力士似乎正在优先完成现有订单。他们已经在HBM领域占据了相当大的市场份额，似乎更专注于整合，而不是快速扩张。另一位业内人士解释说：“SK海力士似乎认为10纳米级第六代DRAM市场尚未成熟，而三星似乎渴望重新夺回其技术‘霸主地位’，并积极进行投资。”

https://biz.chosun.com/en/en-it/2025/06/22/BOKM7IGCUNGOPE2LKIWO5Q4TGM/

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